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Analyse Technique du Transistor IGBT FF300R12KT3-E
Le module de puissance FF300R12KT3-E encapsule des puces électroniques conçues pour supporter des tensions allant jusqu'à 1200V. Cette configuration en demi-pont est idéale pour l'assemblage de ponts onduleurs complets dans les réseaux de distribution d'énergie.
Comportement Électrique et Dynamique
La tension de saturation basse de cet IGBT garantit que les pertes par conduction restent minimales. Cela se traduit par un meilleur rendement énergétique du convertisseur, limitant la surchauffe globale de l'armoire de contrôle.
Fiche Technique du Module
- Type de produit : Semi-conducteur de puissance de type IGBT
- Référence précise : FF300R12KT3-E
- Seuil de tension maximal : 1200V
- Technologie de puce : TrenchStop avec diode d'enroulement libre
Chaque pièce subit des contrôles rigoureux de géométrie des bornes pour assurer un alignement parfait avec les barres omnibus en cuivre lors de l'installation finale dans le boîtier d'alimentation.
